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[ Etching al plasma ]
Un processo di etching a secco, durante il quale gli atomi reattivi o gli ioni (ad es. ossigeno, cloro, fluoro) vengono generati in una scarica di gas (soprattutto esercitata ad alta frequenza). Nell’etching a ioni si approfitta del fatto che questi vengono orientati soprattutto nella zona del margine tra il plasma e il substrato e possono apportare delle incisioni profonde con con le pareti verticali.
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