diener electronic  | TECNICA DI TRATTAMENTO SUPERFICIALE AL PLASMA Plasma Plasma systems Surface-Technology
 
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IMPIANTI AL PLASMA - IMPIANTI STANDARD - STANDARD PLASMA SYSTEMS

 

[ Microscopia elettronica ]

 

PLASMA SYSTEM FEMTO UHP - PLASMA CLEANER


 
  1. Quadro elettrico
largh. 345 mm, alt. 220 mm, prof. 420 mm

2. Camera
Ø: 80 mm, lungh. 270 mm
Materiale: quarzo o vetro borosilicato
Apertura camera: ca. 2 litri

3. Alimentazione gas
1 canali gas con valvola a spillo

4. Generatore
40 KHz / 100 W, variabile
o
13,56 MHz / 100 W variabile

5. Elettrodi
Fuori dell'alloggiamento di vetro
Collegamento capacitivo

6. Sistema di controllo
semiautomatico, tempo di processo
regolato da temporizzatore

7. Collegamenti
Gas: 6mm Swagelok
Alimentatore di tensione : 220-240V /
16 A 50-60 Hz

8. Pompa per vuoto
Pompa a palette rotativa
velocità di pompaggio: 1,5 m3/h
la pompa può funzionare con O2
 
FEMTO - Plasmasystems for the electron microscopy - C by Diener electronic GmbH + Co. KG

FEMTO - Plasmasystems for the electron microscopy - C by Diener electronic GmbH + Co. KG

 

 

 

   
 

PLASMA SYSTEM PICO UHP - PLASMA CLEANER


 
  1. Quadro elettrico
largh. 550 mm, alt. 330 mm, prof. 500 mm

2. Camera
Ø: 130 mm, lungh. 300 mm
Materiale: quarzo o vetro borosilicato
Apertura camera: ca. 4 litri

3. Alimentazione gas
2 canali gas con valvola a spillo

4. Generatore
40 KHz / 100 W, variabile
o
13,56 MHz / 100 W variabile

5. Elettrodi
Fuori dell'alloggiamento di vetro
Collegamento capacitivo

6. Sistema di controllo
semiautomatico, tempo di processo
regolato da temporizzatore

7. Collegamenti
Gas: 6mm Swagelok
Alimentatore di tensione : 220-240V /
16 A 50-60 Hz

8. Pompa per vuoto
Pompa a palette rotativa
velocità di pompaggio: 2,5 m3/h
la pompa può funzionare con O2
 
PICO - Plasmasystems for the electron microscopy - plasma etcher - C by Diener electronic GmbH + Co. KG

PICO - Plasmasystems for the electron microscopy - plasma cleaner - C by Diener electronic GmbH + Co. KG

PICO - Plasmasystems for the electron microscopy - plasma asher - C by Diener electronic GmbH + Co. KG

 

Plasma equipment: La microscopia elettronica in breve


Un microscopio elettronico è un microscopio in grado di osservare l'interno o la superficie di un campione.

Nel caso del microscopio a scansione elettronica (SEM) un fascio di elettroni opera una scansione del campione che è generalmente massivo. Vengono rilevati sincronicamente gli elettroni, o altri segnali, vengono diffusi e la corrente registrata determina il valore d'intensità del punto d'immagine associata. In genere i dati vengono presentati subito sul monitor, di modo da visualizzare l'immagine in tempo reale.

Nel caso del microscopio elettronico a trasmissione (TEM) gli elettroni irradiano il campione TEM che deve essere adeguatamente sottile per questo scopo. Un campione TEM soddisfacente deve possedere uno spessore che va da pochi nanometri ad alcuni micrometri.


Plasma technologies: Preparazione dei campioni per mezzo della tecnologia al plasma

I campioni TEM e SEM e il porta-campioni TEM vengono puliti in plasma. In genere è sufficiente un trattamento al plasma di ossigeno di 15 minuti.

Vengono così rimosse tutte gli elementi quali grassi, oli e nerofumo nonché contaminazioni organiche. L'impiego di un impianto al plasma è molto semplice.

Il margine di errore nel SEM e TEM viene notevolmente ridotto. Il tempo di ritenzione durante le misurazioni in SEM e TEM viene aumentato significativamente.

Oltre all'ossigeno, quale gas di processo viene utilizzato l'idrogeno per pezzi sensibili all'ossidazione.

In particolare, i campioni dielettrici devono essere dotati di un sottile rivestimento conduttore nel microscopio ai scansione elettronica (SEM), per impedire una carica elettrostatica. Tale strato viene generalmente depositato tramite rivestimento al plasma in un apparecchio da sputtering, ottenuto con oro o per mezzo dell'evaporazione di carbonio.

Nel caso del microscopio elettronico a trasmissione (TEM) è necessario che i campioni abbiano uno spessore massimo di 1 µm, ottenuto con diversi processi. Molto usato è il processo ion etching, nel quale il campione viene eroso per mezzo di un fascio ionico.

Quando emerse la problematica dell'asbesto negli anni '80, la tecnica del plasma fece il proprio ingresso nella tecnologia TEM e SEM. Si sviluppò l'analisi dell'asbesto. I legami di carbonio vengono inceneriti nel cosiddetto plasma asher. Rimangono, in questo modo, le sole fibre di asbesto che diventano visibili tramite SEM e TEM e possono così essere analizzate.

La tecnologia al plasma può essere utilizzata in modo molto soddisfacente anche per l'analisi generale dei polimeri. Ad es. possono essere rese visibili le fibre di vetro e altro materiale di riempimento inorganico. In questo caso viene incenerito il polimero. Per questo motivo si parla di plasma asher. Per l'analisi dei difetti nei settori della tecnologia della ceramica, vengono sottoposti a etching campioni di Si3N4.

Dalla pulizia del porta-campioni TEM, all'incenerimento dell'asbesto, all'etching della ceramica Si3N4 fino all'analisi del polimero, Diener electronic offre la macchina appropriata per ogni esigenza.


Programma macchine per la pulizia del porta-campione TEM dei campioni


Diener electronic offre due misure di macchine per la pulizia del porta-campione TEM e dei campioni. Con tali impianti è possibile sottoporre a trattamento completo il porta-campione TEM e i campioni stessi nella camera.

Esiste inoltre la possibilità di introdurre i porta-campioni TEM dall'esterno. Nel caso in cui si scegliesse la variante nella quale il porta-campione TEM viene introdotto dall'esterno attraverso la porta a vetro, è necessario concordare la massa con Diener electronic. È possibile realizzare qualsiasi diametro.

Il controllo dell'impianto per la pulizia del porta-campione TEM e dei campioni è stato concepito per essere semplice, esso, infatti, viene guidato sempre dalla stessa posizione. Per soddisfare le più alte esigenze di pulizia dei porta-campioni TEM e dei campioni, i recipienti sono stati realizzati in vetro di quarzo.
   
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