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Etching ad ioni reattivi: è una tecnica di etching a secco molto versatile, che trova applicazione in quasi tutti i materiali utilizzati nell'elettronica e nell'optoelettronica. Le particelle cariche del plasma si scontrano con la superficie del pezzo e rimuovono strato dopo strato in modo riproducibile e anisotropo. L’etching ad ioni reattivi viene applicato in particolare per le strutture anisotrope del silicio, per dielettrici organici e inorganici, materiali barriera metallici e polimeri per applicazioni elettroniche e optoelettroniche. Per la rimozione di silicio o di strati contenenti silicio vengono utilizzati in primo luogo gas a base di fluoro, quali CF4 e SF6. L’etching di molecole organiche o la pulizia di strati inorganici da residui organici viene eseguito attraverso plasma all'ossigeno o gas composti da O2 e CF4. In primo luogo vengono fisicamente incisi (attraverso l'etching) gli strati metallici (rimozione meccanica di atomi/molecole), come, ad es. per mezzo di plasma di argon.
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